RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3302
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link