RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3302
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link