RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
119
Wokół strony 76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
1.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
2.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
119
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
1.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
2.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
447
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
UMAX Technology 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link