RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3942
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link