RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3942
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link