RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3557
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link