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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
27
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
21
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2718
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
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Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Mushkin 991586 2GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
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