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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
27
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
21
读取速度,GB/s
13.8
18.2
写入速度,GB/s
8.4
11.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2718
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kllisre 8GB
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