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Corsair VS1GB800D2 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
47
左右 -52% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
31
读取速度,GB/s
4,680.7
13.6
写入速度,GB/s
1,361.1
7.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
2307
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
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