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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
49
左右 -14% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
43
读取速度,GB/s
4,577.1
11.6
写入速度,GB/s
2,066.5
11.2
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2615
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
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