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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
23.1
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
23.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
19.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
4276
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
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G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
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