RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
58
En 52% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
9.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
18.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
58
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
1998
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link