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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
38
En -90% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
20
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2707
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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