RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против AMD R7S44G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
38
Около -90% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
20
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.9
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2707
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link