RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против AMD R7S44G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
38
Около -90% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
20
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.9
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2707
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link