RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против AMD R7S44G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
38
Около -90% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
20
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.9
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2707
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link