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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2917
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2133C11 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
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