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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
34
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2917
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Team Group Inc. 16GB
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