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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2846
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
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