RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2846
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link