RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
24
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
18.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
4207
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link