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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2994
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
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