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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
26
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2994
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Comparaison des RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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