Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Note globale
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    14.8 left arrow 13.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    11.2 left arrow 9.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 12800
    Autour de 1.5 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    35 left arrow 35
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.7 left arrow 14.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.6 left arrow 11.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2312 left arrow 2336
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons