RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
77
Autour de -250% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3665
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link