RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
1813
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link