RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
26
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
1813
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kllisre 0000 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link