RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
46
En 43% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
46
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2961
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
INTENSO 5641162 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link