RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
46
Около 43% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
46
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
13.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2961
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link