RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
45
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3023
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link