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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2336
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
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