RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
35
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
35
读取速度,GB/s
12.8
14.8
写入速度,GB/s
9.0
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2336
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link