RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Panram International Corporation M424016 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Panram International Corporation M424016 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation M424016 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2035
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Panram International Corporation M424016 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link