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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
37
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
37
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2512
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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