RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
37
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
7.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2512
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link