RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 37
    周辺 19% 低遅延
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB 考慮すべき理由
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 8500
    周辺 2.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 13.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1479 left arrow 2512

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB RAMの比較

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
メモリRAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
メモリRAM