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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
35
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
35
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
1853
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
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