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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
35
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
9.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
6.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
35
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
6.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
1853
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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