RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
35
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
9.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
6.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
1853
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link