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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9965596-016.B01G 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
35
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
9.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
6.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
35
读取速度,GB/s
17.6
9.5
写入速度,GB/s
12.0
6.1
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
1853
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9965596-016.B01G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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