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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XN205T-MIE 16GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston XN205T-MIE 16GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Kingston XN205T-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston XN205T-MIE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
66
左右 -113% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XN205T-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
31
读取速度,GB/s
2,775.5
16.9
写入速度,GB/s
1,557.9
15.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3522
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB RAM的比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
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