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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
65
左右 -41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
46
读取速度,GB/s
4,806.8
11.1
写入速度,GB/s
2,784.6
8.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2388
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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