RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
65
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
46
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2388
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link