RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
54
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
54
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2938
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link