RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
54
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
54
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2938
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link