RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
54
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
54
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2938
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link