RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3035
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link