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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
42
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
37
读取速度,GB/s
10.6
16.3
写入速度,GB/s
9.0
11.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3294
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
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Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
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