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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
比较
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
总分
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
11.5
15.3
写入速度,GB/s
6.7
11.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1857
2960
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
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