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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
9.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
37
读取速度,GB/s
15.8
13.9
写入速度,GB/s
12.4
9.9
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2852
2389
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
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