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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Comparez
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
37
Autour de 5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
37
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.4
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2852
2389
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Absolute Latency
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
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Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
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