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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
13.3
9.8
写入速度,GB/s
9.0
6.7
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
1304
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
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