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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

总分
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 14.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 10.7
    测试中的平均数值
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 49
    左右 -96% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 14.5
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 10.7
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 2620

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
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